原子层沉积 ALD工艺揭秘：从效率、温度到涂层类型的全方位探讨

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在上篇文章中，我们结合具体案例为大家介绍了原子层沉积技术的概念、原理和特点。
阅读推荐：一文了解原子层沉积（ALD）技术的原理与特点

还有很多朋友提问化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）的区别，我们从反应效率、均匀性以反应温度三方面来进行说明。

在化学气相沉积（ CVD） 中，前驱体被同时且连续地引入反应器中，这些前驱体在热基材表面相互反应。沉积速度可能比 ALD 更高，但涂层的粘附性较差，不够致密，而且不均匀。

由于 CVD 缺乏自钝化作用，因此也不可能形成均匀的高深宽比涂层。CVD 工艺由于在沟槽或孔内前驱体浓度较低，导致厚度比基材表面低得多。CVD 通常还需要较高的衬底温度。

ALD有更好的台阶扩散性和沟槽涂层均匀性