第四代半导体材料璀璨新星——氧化镓

第四代半导体材料璀璨新星——氧化镓

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氧化镓（Ga2O3）作为第四代超宽禁带半导体材料的代表，以其卓越的性能正逐步崭露头角。

氧化镓禁带宽度高达4.8-4.9 eV，远超碳化硅的3.25 eV与氮化镓的3.4 eV，其击穿场强理论值可达8 MV/cm，分别是氮化镓的2.5倍和碳化硅的3倍有余。在能效表现上，氧化镓同样令人惊艳。据统计，其理论损耗仅为硅的1/3000、碳化硅的1/6、氮化镓的1/3。此外，氧化镓还兼具出色的化学与热稳定性，加之制备工艺简洁高效，为大规模产业化应用奠定了坚实基础。凭借这些卓越性能，氧化镓在电网、新能源汽车、轨道交通、5G通信等电力电子领域展现出广阔的应用前景。据市场预测，至2030年，氧化镓功率元件的市场规模有望突破数百亿元人民币大关。