BSC100N03MS G-VB：高性能单N通道MOSFET的技术详解与应用指南

BSC100N03MS G-VB：高性能单N通道MOSFET的技术详解与应用指南

产品详情

BSC100N03MS G-VB MOSFET 产品简介

BSC100N03MS G-VB 是一款高性能单N通道MOSFET，封装在DFN8(5x6)外壳中。该MOSFET 设计用于高电流和高效率的应用场合。其最大漏极-源极电压（VDS）为30V，栅极-源极电压（VGS）容差为±20V，适用于各种电源管理和开关应用。BSC100N03MS G-VB 的阈值电压（Vth）为1.7V，确保在较低的栅极电压下能够可靠启动。其导通电阻（RDS(ON)）在VGS = 4.5V 时为9mΩ，在VGS = 10V 时为7mΩ，提供了良好的功率效率和低功耗。该MOSFET 的连续漏极电流（ID）高达80A，适合处理大电流负荷。BSC100N03MS G-VB 采用先进的沟槽技术，优化了其开关性能和总体能效。

BSC100N03MS G-VB MOSFET 详细参数说明

• 封装类型: DFN8(5x6)
• 配置: 单N通道
• 最大漏极-源极电压 (VDS): 30V
• 最大栅极-源极电压 (VGS): ±20V
• 阈值电压 (Vth): 1.7V
• 导通电阻 (RDS(ON)):
• VGS = 4.5V 时为 9mΩ
• VGS = 10V 时为 7mΩ
• 连续漏极电流 (ID): 80A
• 技术: 沟槽技术

BSC100N03MS G-VB MOSFET 的应用领域

BSC100N03MS G-VB MOSFET 的高电流处理能力和低导通电阻使其在多个领域中表现出色。例如，在电源管理系统中，这款MOSFET 可以用于高效的电源开关和电源调节模块，以处理大电流负荷并提高能效。在电动汽车领域，它适合用作电机控制系统和电池管理模块中的开关元件，确保高效和稳定的电流供应。在工业应用中，BSC100N03MS G-VB 可以应用于高功率电机驱动器和电源转换设备，提供可靠的开关功能并减少能量损失。此外，该MOSFET 也适合用于高效能LED驱动器和其他高功率电子设备，以提升整体性能和功率效率。