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立式炉、卧式炉系统性能比较

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作者:
@小白创作中心

立式炉、卧式炉系统性能比较

引用
1
来源
1.
https://www.hangyan.co/charts/3412556396225365916

在半导体制造过程中,热处理设备是关键的工艺设备之一,其性能直接影响到产品的质量和生产效率。本文将对三种主要的热处理设备——立式炉、卧式炉和快速热处理炉(RTP)的系统性能进行比较分析,帮助读者更好地理解它们的特点和应用场景。

立式炉、卧式炉系统性能比较

研究报告节选:

按照设备形态划分,热处理设备可以分为立式炉、卧式炉以及快速热处理炉(RTP)。

  1. 立式炉:主要控制系统分为五部分:炉管、硅片传输系统、气体分配系统、尾气系统、控制系统。炉管是对硅片加热的场所,由垂直的石英钟罩、多区加热电阻丝和加热管套组成。硅片传输系统的主要功能是在炉管中装卸硅片,硅片装卸由自动机械完成,自动机械在片架台、炉台、装片台、冷却台之间运动。气体分配系统将正确的气流传送到炉管,维持炉内的气氛。尾气系统位于炉管一端的通孔,用来彻底清除气体及其副产物。控制系统(微控制器)控制着炉子的所有操作,包括工艺时间和温度控制、工艺步骤的顺序、气体种类、气流速率、升降温的速率、装卸硅片等,每个微控制器都是一台主计算机的接口。与卧式炉相比,立式炉减少占地面积,并可以更好地控制温度和均匀性。

  2. 卧式炉:其石英管是水平放置的,用来放置和加热硅片。其主要控制系统和立式炉一样分为 5 个部分。

  3. 快速热处理炉(RTP):一种小型的快速加热系统,利用卤素红外灯作为热源,能迅速将硅片温度升到加工温度,减少工艺稳定需要的时间,工艺结束后快速冷却。相比传统立式炉, RTP 的温度控制更先进,主要差别在于其快速升温原件、特殊的硅片装载装置、强迫空气冷却和更好的温度控制器。其中特殊的硅片装载装置加大了硅片之间的空隙,使得硅片间更均匀地加热或冷却。

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图表内容

表19:立式炉、卧式炉系统性能比较

性能参数
性能目标
卧式炉
立式炉
常规装载硅片数目
小,利于工艺灵活性
200片/炉
100片/炉
净化室占地面积
小,节约空间
较大,而且拥有4根工艺管道
较小(单根工艺管道)
并行处理
工艺灵活性
工艺中的装卸舟,可提高产量
较差,这源于舟、铲子等硬件
气流动力学(GFD)
在一致性方面最优化
浮力和重力导致气流分布不均
较好
硅片温度梯度
相当小
大,叶片(paddle)阴影的辐射
装/卸硅片过程中的颗粒最小化
控制
相对差
更容易和更快,导致停机时间缩短
石英更换
使用机械人技术使自动化更容
自动化困难
工艺前后炉管气氛控制
极好的控制,真空或中性气氛
较难控制

资料来源:半导体制造技术(Michael Quirk等)》、华金证券研究所

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