中国国产 EUV 光刻机迎来曙光：2025 年 Q3 试生产

中国国产 EUV 光刻机迎来曙光：2025 年 Q3 试生产

在全球半导体产业竞争激烈的当下，极紫外（EUV）光刻机技术成为决定各国半导体发展水平的关键因素。一直以来，荷兰 ASML 公司凭借其先进的 EUV �光刻机技术占据着行业主导地位。然而，受美国贸易制裁影响，中国半导体企业在获取先进 EUV 设备的道路上困难重重，中芯国际和华为等企业深受其扰。

中芯国际作为中国半导体行业的领军企业，尽管曾传出成功生产 5nm 晶圆的消息，但由于只能依赖深紫外（DUV）设备，其 5nm 芯片量产面临成本高昂、良率低下的困境。而华为在芯片研发上也因无法获得先进的 EUV 光刻机，麒麟芯片的制程被限制在 7nm，难以突破。

在这样的艰难处境下，中国科研人员并未放弃，积极探索自主研发 EUV 光刻机的道路。据最新消息，令人振奋的突破即将到来 —— 中国国产 EUV 光刻机预计在 2025 年第三季度进入试生产阶段，并有望在 2026 年实现大规模量产。这一进展，无疑给中国半导体产业带来了新的希望。

图：中国国产 EUV 光刻机迎来曙光：2025 年 Q3 试生产

中国国产 EUV 光刻机采用了独特的激光诱导放电等离子体（LDP）技术，这一技术与 ASML 的激光产生等离子体（LPP）技术存在显著差异。LDP 技术的原理是通过在电极之间蒸发锡，利用高压放电将其转化为等离子体，在电子与离子的碰撞过程中产生波长为 13.5nm 的 EUV 辐射，而这一波长恰好满足光刻市场的需求。

相比之下，ASML 的 LPP 技术依赖高能量激光以及复杂的基于现场可编程门阵列（FPGA）的控制系统。中国的 LDP 技术优势明显，它简化了整体设计，使得设备的体积更小，同时大大降低了能源消耗和制造成本。这种技术上的创新，为中国国产 EUV 光刻机的发展奠定了坚实基础。

此前，中国半导体产业长期依赖 248nm 和 193nm 波长的早期光刻系统，这些技术与 EUV 的 13.5nm 辐射相比差距明显。中芯国际为了达到先进制程节点，不得不采用多重光刻步骤，这不仅让晶圆生产成本大幅增加，生产过程也变得极为耗时，成本的大幅提升使得 5nm 芯片难以在市场上获得竞争力。

如今，国产 EUV 光刻机的即将问世，对于中芯国际和华为而言意义非凡。中芯国际有望借此突破量产瓶颈，提升芯片制造的效率和良率，降低生产成本，从而在全球半导体市场中占据更有利的地位。华为也能够摆脱芯片制程的束缚，在高端芯片研发上迈出新的步伐，缩小与高通、苹果等国际科技巨头的差距。

中国国产 EUV 光刻机的试生产计划，不仅是中国半导体产业的重大突破，更是全球半导体格局重塑的重要契机。它预示着中国在半导体领域正逐步摆脱对国外技术的依赖，走向自主创新的发展道路。在未来，随着技术的不断成熟和完善，中国半导体产业有望在全球市场中展现出更强大的竞争力，为全球半导体产业的发展注入新的活力。

本文原文来自exportsemi.com