三星已在本月初引入首台High-NA EUV光刻机，用于下一代半导体制造技术研发

三星已在本月初引入首台High-NA EUV光刻机，用于下一代半导体制造技术研发

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网易

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三星电子近日在其华城园区成功部署了首台High-NA EUV光刻机，这标志着其在下一代半导体制造技术研发方面迈出了重要一步。

2023年末，三星与ASML签署了一项价值1万亿韩元的协议，双方将在韩国京畿道东滩投资建设半导体芯片研究设施，共同努力改进EUV光刻制造技术，同时三星还获得了High-NA EUV光刻设备技术的优先权。不过去年三星DS（设备解决方案）部门更换新负责人，审查正在进行的项目和投资，随即传出可能减少High-NA EUV光刻机的采购数量。

据TrendForce报道，三星已经在本月初在其华城园区引入了首台ASML制造的High-NA EUV光刻机，型号为“TWINSCAN EXE:5000”，传闻价格达到了5000亿韩元（约合3.44亿美元/人民币24.95亿元）。三星也成为了英特尔（2023年末）和台积电（2024年第三季度）之后，第三家安装High-NA EUV光刻机的半导体制造商。

按照之前的说法，这台High-NA EUV光刻机主要用于技术研发，预计2025年中开始使用。三星已决定开发用于逻辑和DRAM芯片的下一代半导体制造工艺，一些技术需要通过High-NA EUV光刻机实现。此外，三星还与Lasertec、JSR、Tokyo Electron和Synopsys合作，打造High-NA EUV生态系统。

High-NA EUV光刻机是具有高数值孔径和每小时生产超过200片晶圆的极紫外光大批量生产系统，用于制造3nm以下的芯片。其提供了0.55数值孔径，与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征。

本文原文来自网易新闻