比较器输出架构：开漏输出和推挽输出的分析与比较

比较器输出架构：开漏输出和推挽输出的分析与比较

比较器是电子工程中常用的一种芯片，主要用于判断两个输入信号的电压大小。其输出通常有两种状态：高电平和低电平。比较器的输出方式主要有两种：开漏输出和推挽输出。本文将详细介绍这两种输出方式的原理和特点，并通过对比帮助读者更好地理解它们的应用场景。

开漏输出（Open Drain Output）

开漏输出的比较器又分为NFET架构（图1）和PFET架构（图2），由内部的MOSFET决定。NEFT架构输出端需要加上拉电阻才能输出高电平，PFET架构需要加下拉电阻才能输出低电平。

图1 NFET架构 图2 PFET架构

推挽输出（Push-Pull Output）

推挽输出结构是由PMOS+NMOS或者三极管受到互补控制的信号控制，两个管子始终一个在导通，一个在截止。

推挽输出和开漏输出（以NFET架构为例）的对比

• 推挽输出：可以输出高电平，低电平，连接数字器件；对于各种电压节点间的电平转换非常有用。可以将多个开漏输出的输出脚，连接到一条线上，形成“与逻辑”关系，即“线与”功能；任意一个变低后，开漏线上的逻辑就为0了。这也是I2C，SMBus等总线判断总线占用状态的原理。

• NFET开漏输出：输出端相当于三极管的集电极，要得到高电平状态需要上拉电阻才行，适合于做电流的驱动。通常一条总线上只能有一个push-pull输出的器件；优点速度快。