我国半导体光刻胶行业现状与前景：高端领域加速突破

我国半导体光刻胶行业现状与前景：高端领域加速突破

光刻胶是半导体制造中的关键材料，其性能直接影响芯片的性能和良率。随着中国半导体产能的全球领先地位的确立，半导体光刻胶市场需求强劲。本文将深入探讨半导体光刻胶行业的现状、市场前景以及国内外厂商的布局情况。

光刻胶及其相关辅助材料占比超10%，是第四大半导体材料

光刻胶是一种图形转移介质，依赖于光化学反应，通过曝光显影和刻蚀等工艺，将掩模板上所需的微细图形精确地转移到待加工的基片上。光刻胶在半导体晶圆制造材料价值中的占比为5%，其辅助材料占比7%，合计达到12%。光刻胶及其相关辅助材料成为继硅片、电子特气和光掩模之后的第四大半导体材料。

我国半导体产能全球领先，半导体光刻胶市场需求强劲

中国半导体产能在全球占据重要地位，2023年，中国大陆半导体产能占全球的比重达20%左右，中国大陆半导体光刻胶市场规模占全球的23.1%。

数据来源：观研天下数据中心整理

数据来源：观研天下数据中心整理

随着中国晶圆厂密集投产，发力半导体成熟制程，预计2028年国内半导体光刻胶市场规模将达到10.36亿美元，2023-2028年CAGR为13.8%。

数据来源：观研天下数据中心整理

半导体工艺和制程升级下高端光刻胶需求迅速增长，EUV光刻胶前景广阔

根据不同的曝光光源波长，半导体光刻胶细分为g线光刻胶、i线光刻胶、KrF光刻胶、ArF光刻胶、EUV光刻胶五类。G/I线光刻胶是较早的光刻胶技术，成熟应用于汽车电子等领域；KrF光刻胶主要应用于0.25um及以下各制程，特别是在3D NAND堆叠架构的制作中；ArF光刻胶在浸润式光赛系统和负显影工艺等技术的助力下，将先进制程从45nm推进至7nm工艺；EUV光刻胶是最新一代技术，应用于7nm以下集成电路的制造，在逻辑芯片和存储DRAM芯片的生产中十分重要。

随着半导体工艺和制程升级，高端光刻胶需求迅速增长。其中KrF光刻胶受3D NAND堆叠层数增长驱动，ArF光刻胶用量增加受多重光刻工艺增长驱动，光刻道次的增多将使EUV光刻胶需求增加。

根据数据，2023 年中国大陆半导体光刻胶中 ArF 和 KrF合计占据超八成的市场份额，其中ArF光刻胶达44.28%，是 2023 年国内唯一正增长的光刻胶种类。随着人工智能强劲推动 AI 服务器和存储芯片发展，以及集成电路先进制程工艺增长，高端光刻胶需求进一步增长，尤其是在用EUV 技术生产的芯片的增长下，EUV光刻胶有望成为最具增长潜力的细分市场。

数据来源：观研天下数据中心整理

全球半导体光刻胶行业由美日主导，国内厂商在多领域实现突破

半导体光刻胶行业壁垒显著高于PCB光刻胶和LCD光刻胶，集中体现在高纯度以及复杂的生产工艺、巨额的设备投资、对关键原材料的高度依赖上，此外，光刻胶高技术特性使得其质量直接影响下游产品的质量，产业有着较高采购成本与认证成本，行业客户壁垒高。

目前全球光刻胶市场主要被美日企业占据，头部厂商包括JSR、东京应化、美国杜邦、信越化学、住友及富士胶片等，尤其在半导体光刻胶的高端领域中，上述企业占据更高的市场比重。

近年来，国内半导体光刻胶厂商迎来机遇。一方面，中国晶圆厂扩产过程中加速验证导入本土光刻胶；另一方面，上游半导体光刻胶树脂涌现了许多国产厂商，供给能力有所提高。目前，国内半导体光刻胶企业在 G/I 线、KrF、ArF 等领域已实现一定量产，未来随着技术壁垒的进一步突破，半导体光刻胶国产替代加速突破。

中国光刻胶树脂主要厂商布局情况

全球半导体光刻胶主要厂商布局情况