国产EUV光刻机迎来突破性进展，三大技术路线齐头并进

国产EUV光刻机迎来突破性进展，三大技术路线齐头并进

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2024年9月，上海微电子的一项重要专利在全球半导体领域引发关注。这项编号为CN202310226636.7的专利，标志着中国在EUV光刻机核心子系统取得了实质性突破。通过创新的电场约束+氢自由基反应技术，成功将带电粒子污染减少率提升至90%以上，镜面寿命延长至1000小时，打破了西方对中国在EUV光刻机领域发展的技术封锁。与此同时，哈尔滨工业大学在放电等离子体极紫外光刻光源技术上斩获创新大奖，上海光源的小型加速器实验也为下一代FEL路线铺平了道路。这场持续十年的光刻机围剿与反围剿之战，终于迎来历史性转折点，全球半导体产业链也将迎来重构。