数字逻辑电路入门:从晶体管到逻辑门
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数字逻辑电路入门:从晶体管到逻辑门
引用
CSDN
1.
https://blog.csdn.net/weixin_45827703/article/details/135412312
数字逻辑电路入门:从晶体管到逻辑门
这是数字逻辑电路中最基础的部分。但是并非那么容易理解。
1、晶体管
- MOSFET:场效应晶体管,是电压控制元件。
- CMOS:是指由MOS管构成的门级电路通常是互补的。
- BJT:一种三极管,是电流控制元件,用来放大电流,功耗大于MOS管。
- NMOS:衬底是P型半导体,源极和漏极是N型掺杂区域。适合用来导通低电压,不适合导通高电压。
- PMOS:和NMOS相反,衬底是N型半导体,源极和漏极是P型掺杂区域。适合用来导通高电压,不适合导通低电压。
- PMOS用在上拉网络,NMOS用在下拉网络。
2、逻辑门
互补传导规则:NMOS串联,PMOS必须并联;NMOS并联,PMOS必须串联。保证上拉网络和下拉网络不会同时导通,即不出现短路。
非门:输入a,输出y,消耗2个晶体管
- 一个PMOS,栅极接a,源极接VCC,漏极接y
- 一个NMOS,栅极接a,源级接y,漏极接GND
- 分析,a=1,MOS的栅极上表面聚集正电荷,下表面聚集负电荷。PMOS衬底是N型半导体,本身有自由电子,因此源极和漏极仍然断开。NMOS衬底是P型半导体,本身有自由空穴,聚集负电荷之后,源极和漏极接通,因此y=0。
与门:消耗6个晶体管
- 一个与非门
- 级联一个非门
或门:消耗6个晶体管
- 一个或非门
- 级联一个非门
或非门:消耗4个晶体管
- 两个PMOS串联,栅极接a,b,源极接VCC,漏极接y
- 两个NMOS并联,栅极接a,b,源极接VCC,漏极接y
- 分析,a=0,b=0,PMOS均导通,NMOS均断开,y=1;a、b有一个为1,下拉网络导通,上拉网络断开,y=0
与非门:消耗4个晶体管
- 两个PMOS并联,栅极接a,b,源极接VCC,漏极接y
- 两个NMOS串联,栅极接a,b,源极接VCC,漏极接y
- 分析,a=1,b=1,PMOS均断开,NMOS均导通,y=0;a、b有一个为0,下拉网络断开,上拉网络导通,y=1
异或门:
- 实现方式两种,一个使用10个晶体管,一个使用12个晶体管
- 参考:CMOS门电路的设计及其优化–以异或门为例
同或门
三态门
3、卡诺图化简
以下图为例:
画出卡诺图,注意格雷码序;
画圈:
- 从大到小画圈,16格、8格、4格、2格、1格;
- 每个圈都要圈住1,最终圈住所有1;
- 可环绕画圈。
写出SOP(sum-of-products)
- 每个圈代表一个product,读法是“相异相消”;
- 将所有product相加;
- Y = b+c+a;(按照红、绿、蓝的顺序写的product)
补充:“相异相消”
- 比如Y = A B + A B ˉ = A ( B + B ˉ ) = A Y = AB+A \bar B = A(B+\bar B) = AY=AB+ABˉ=A(B+Bˉ)=A;
- B + B ˉ = 1 B+\bar B =1B+Bˉ=1恒成立;
- 圈中变量相异的,则无需管,相同的如实记录。
- 比如红圈,c相异,a相异,b相同且为1,则记录为b。
另一个例子:
画圈
读SOP
- 红:b ˉ c ˉ \bar b \bar cbˉcˉ
- 绿:a ˉ d ˉ \bar a \bar daˉdˉ
- 粉:a c d a cdacd
- 蓝:b c d bcdbcd
- Y = b ˉ c ˉ + a ˉ d ˉ + a c d + b c d Y= \bar b \bar c+\bar a \bar d+a cd+bcdY=bˉcˉ+aˉdˉ+acd+bcd
可以想到:
- 圈1则是SOP
- 圈0则是POS
- 因此,谁少圈谁。
- 注意,圈0写出POS之后取反,利用布尔代数则得到圈0的POS。
4、复用器
使用逻辑门可以搭建一个复用器
- Y = D 0 S ˉ + D 1 S Y=D_0 \bar S + D_1 SY=D0 Sˉ+D1 S
- 两个与门、一个非门、一个或门
- 优化:减少晶体管,Y = D 0 S ˉ + D 1 S = ( D ˉ 0 + S ) ( D 1 S ) ˉ Y = D_0 \bar S + D_1 S = (\bar D_0+S)\bar {(D_1S)}Y=D0 Sˉ+D1 S=(Dˉ0 +S)(D1 S)ˉ
- 一个与非门、一个与门、一个或门、一个非门
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