中国芯片加速5纳米量产，以现有设备实现先进工艺的突破

中国芯片加速5纳米量产，以现有设备实现先进工艺的突破

引用

CSDN

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https://blog.csdn.net/AUZ3y0GqMa/article/details/138174425

北京一家企业正在研发一种利用现有光刻机生产5纳米工艺的技术，预计很快就能实现量产。该工艺的核心技术是自对准四重图案化（SAQP）技术，类似技术曾被台积电用于7纳米，Intel也曾试图利用该项技术。

Intel是最早考虑多重曝光技术的，2014年它就已量产14纳米工艺，2016年ASML还没量产EUV光刻机，Intel就试图利用DUV光刻机辅以多重曝光技术，提升晶体管密度，研发自己的10纳米工艺，结果Intel玩砸了，EUV光刻机量产后，Intel都未量产10纳米，又推倒重来采用EUV光刻机生产10纳米。

台积电的7纳米工艺就采用了DUV光刻机生产，如此做是为了尽快量产7纳米，并确保7纳米工艺的量产；当时三星却率先采用了EUV光刻机生产7纳米，结果是台积电用DUV光刻机生产的7纳米良率更高，在吃透了7纳米技术之后，台积电再用EUV光刻机生产7纳米，提升7纳米技术的性能。

Intel的10纳米被认为与台积电和三星的7纳米相当，这也是业界质疑台积电和三星玩数字游戏的原因，而台积电的10纳米工艺几乎是昙花一现，7纳米量产后，10纳米几乎被舍弃，芯片企业要么采用16纳米，要么直接用7纳米，可以说台积电的10纳米工艺就是一种过渡工艺。