里程碑！南大祝世宁院士团队铌酸锂光子芯片产线启动
里程碑！南大祝世宁院士团队铌酸锂光子芯片产线启动
4月11日，由南京大学祝世宁院士团队领衔的南智先进光电集成技术研究院（以下简称“南智光电”）铌酸锂光子芯片产线在江苏南京江北新区正式启动。这一重要里程碑标志着我国在薄膜铌酸锂光子芯片产业化方面取得重大突破。
本次启用的产线具备光刻、刻蚀、镀膜、研抛、湿法等系列核心技术工艺，配备了3.5亿元规模设备和5000平方米超净间，覆盖整个产业链的核心工艺，月产能达到1000片晶圆。这标志着国内薄膜铌酸锂光子芯片产业化取得重要进展。
铌酸锂晶体被誉为光子时代的“光学硅”材料，具有机械性能稳定、易加工、耐高温、抗腐蚀、原材料来源丰富、价格低廉等优点。通过不同掺杂，铌酸锂能呈现出各种特殊性能，是目前发现的光子学性能最多、综合指标最好的晶体材料。在光通信领域，铌酸锂主要用于高速电光调制器，特别是在100Gbps以上的长距骨干网相干通讯和单波100/200Gbps的超高速数据中心中具有显著优势。
作为光电领域的资深专家，祝世宁院士带领团队长期致力于铌酸锂材料领域的研究。2018年，在南京大学和江北新区的支持下，祝世宁团队在江北新区产业技术研创园创立南智光电，建设运营光电公共技术平台，瞄准下一代光电芯片技术在基础材料、器件工艺等方面的需求开展研发工作。
“光电芯片有望成为我国率先突破的科技领域，我们应该对下一代技术更早地切入、更快地投入，争取在未来有更多的发言权。”祝世宁院士表示。
经过6年发展，南智光电已取得多项重要成果。今年初，研究院启动平台二期建设，目前二期平台已具备一定量产能力，近期成功下线一批8英寸生物基因检测芯片，相关性能指标全部符合客户定制要求。
未来，南智光电将以铌酸锂光子芯片产线为基础，面向国内外光电企业提供芯片研发及流片支持。祝世宁院士表示：“以本次新产线的启动为契机，南智光电将更有信心，更好服务产业成长、赋能新区发展。”
南智先进光电集成技术研究院
南智先进光电集成技术研究院于2018年4月27日在南京江北新区注册成立，系南京大学光电集成院士团队与南京江北新区管委会合作共建的新型研发机构。研究院在铌酸锂材料及器件制备技术领域处于国内领先水平，特别是在“薄膜铌酸锂+X”异质集成光电芯片器件的关键技术与核心工艺方面具有显著优势。
研究院以“聚力创新、赋能创业”为宗旨，主要开展先进光电单晶制备、微纳结构器件制造、异质集成光电芯片、光电子封装测试技术、光电集成设计技术和光电芯片应用技术及设备开发等方向的技术研发、产业孵化、赋能投资和人才培育。成立至今，研究院已获批国家高新技术企业、江苏省光电技术创新中心（南京）、南京市“十佳”新型研发机构、南京市高水平培育新型研发机构、南京市重点建设平台型新研机构等多项荣誉。