上海集成电路研发中心新专利：创新工艺助力半导体良率大幅提升

上海集成电路研发中心新专利：创新工艺助力半导体良率大幅提升

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https://www.sohu.com/a/854753066_121798711

2.

https://www.sohu.com/a/818916292_121798711

3.

https://www.163.com/dy/article/JN0VF1KR0519QIKK.html

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https://baijiahao.baidu.com/s?id=1811611611482008779

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http://www.ictest8.com/a/technology/semi/2025/01/IC4.html

6.

https://www.dfjy-jx.com/article/81/2.html

上海集成电路研发中心有限公司（ICRD）近日发布了一项名为“半导体器件的制备方法”的新专利（公开号CN119381384A），该专利通过一系列创新工艺步骤显著提高了半导体器件的生产良率。这一突破不仅展示了公司在半导体领域的创新能力，也为全球半导体行业的技术进步提供了新的解决方案。

该专利的核心创新在于其独特的四步制备工艺：

1. 衬底准备：首先提供一个具有显露连接件的衬底，这是半导体器件的基础结构。

2. 保护层覆盖：在衬底上形成保护层覆盖，这一保护层是该技术的关键创新点，能够有效防止后续工艺对衬底造成损伤。

3. 光刻工艺：执行第一光刻工艺，对保护层和衬底进行刻蚀以形成凹槽。这一过程需要极高的精度，以确保后续工艺的准确性。

4. 存储材料层形成：通过凹槽作为光刻对准标记，进行第二次光刻以得到目标存储图形。最后形成存储材料层，完成器件制备。

这一制备过程通过在光刻过程中使用保护层，有效避免了传统方法中衬底可能遭受的损伤，进而提高了半导体器件的整体良率。

在全球半导体行业快速发展的背景下，提升产品良率不仅有助于降低生产成本和提高市场竞争力，同时也将更好地满足日益增长的需求。随着5G、人工智能以及物联网等新兴应用的推动，市场对高性能半导体器件的需求持续攀升。

上海集成电路研发中心的这一专利技术，通过优化制备工艺提升良率，有望为半导体行业带来显著的经济效益。同时，该技术的推广和应用也将进一步巩固国产半导体在全球市场中的竞争力。

与行业内其他相关专利相比，上海集成电路研发中心的这项技术具有其独特优势：

• 华虹半导体的DTC器件制备方法：通过ALD和PVD工艺的结合，解决电极层厚度不均的问题，但主要针对DTC器件。

• 鹏新旭技术有限公司的专利：通过调整化学机械研磨参数来优化异常区的材料层，但侧重于解决特定工艺环节的问题。

相比之下，上海集成电路研发中心的专利通过整体工艺流程的创新，实现了更全面的良率提升，具有更广泛的应用前景。

随着技术的不断更新与优化，行业的参与者们将需要持续注重研究与创新，以应对日益复杂的市场环境。在此背景下，如何保持技术的前瞻性与市场的敏锐度，将成为成功的关键因素。

上海集成电路研发中心的这一专利申请不仅是其在半导体领域技术积累的体现，也是对全球半导体产业发展趋势的积极响应。未来，随着该技术的进一步完善和应用，我们有理由期待国产半导体器件的生产将迈向更高的品质和效率，助力国家在全球半导体生态中的话语权进一步提升。