IBM碳纳米管技术引领未来智能设备革命

IBM碳纳米管技术引领未来智能设备革命

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https://www.sohu.com/a/795995089_174933

2.

https://www.tsinghua.edu.cn/info/1175/20002.htm

3.

https://www.globalgrowthinsights.com/zh/market-reports/single-wall-carbon-nanotube-market-105428

4.

https://xincailiao.ofweek.com/news/2024-11/ART-180423-8230-30649585.html

IBM在碳纳米管晶体管领域的最新突破，预示着半导体行业即将迎来一场革命性的变革。这种新型半导体材料不仅在性能上超越传统的硅晶体管，更在能耗和尺寸上展现出显著优势，有望成为未来智能设备的核心技术。

IBM研究团队已经成功制造出性能优于硅的碳纳米管晶体管，并开发了复杂的电路系统。通过使用钼金属连接碳纳米管并添加钴降低温度需求，IBM解决了触点间电流传输问题，实现了更小、更快且能效更高的晶体管。

2017年，IBM研发出整体尺寸约为40nm的碳纳米管晶体管，比当时主流的14nm硅基晶体管小一半以上，同时展现出更高的电流密度。此外，IBM还成功研制了9nm信道长度的晶体管，为延续摩尔定律提供了可能。

IBM展示了一种由硅CMOS和碳纳米管组成的混合计算系统，该系统能耗仅为传统芯片的约1/17，速度却提升了119倍。这种突破性的性能提升，将为高性能计算和低功耗设备的发展开辟新路径。

尽管目前仍面临材料纯度和大规模生产等挑战，但IBM的目标是在十年内实现碳纳米管晶体管的商业化应用。这一技术有望推动高性能计算和低功耗设备的发展，成为后硅时代的重要解决方案。

随着IBM在碳纳米管技术领域的持续领跑，我们有理由相信，这场技术革命将重塑半导体行业格局。虽然商业化应用仍需时日，但碳纳米管晶体管展现出的卓越性能，已经让我们看到了未来计算技术的全新发展方向。