模拟集成电路中的四种晶体管：二极管、三极管、MOS管和IGBT

模拟集成电路中的四种晶体管：二极管、三极管、MOS管和IGBT

引用

CSDN

1.

https://blog.csdn.net/u011146203/article/details/136353859

晶体管是模拟集成电路中最基本的元器件，其种类繁多，功能各异。本文将详细介绍四种常见的晶体管类型：二极管、三极管、MOS管和IGBT，帮助读者全面了解它们的工作原理和应用场景。

晶体管分类

晶体管大体可以分为以下四类：

• 二极管
• 三极管
• MOS管
• IGBT

二极管（diode）

二极管可以简单看做为一个PN结。N型掺杂是通过掺入少量杂质磷元素，使得半导体中自由电子浓度较高，主要依靠自由电子导电。P型掺杂则是通过掺入少量杂质硼元素，形成空穴导电的半导体。当P型和N型半导体键合时，作为载流子的空穴和自由电子相互吸引、束缚并在边界附近消失。由于在这个区域没有载流子，所以它被称为耗尽层，与绝缘体的状态相同。

三极管（Bipolar Junction Transistor）

全称：双极结晶体管

工作原理

三极管的导电过程可以通过动画直观地理解。当基极（B）施加电压时，集电极（C）和发射极（E）之间会形成电流。

主要功能

三极管主要有两个功能：放大和开关。

放大功能：

假设一个三极管放大倍数是100，基极流过1mA，那么集电极就会流过100mA。

通过这个放大功能可以制作音频放大器，可以把微小的声音信号放大。

开关功能：

只有在给基极施加电压的时候，集电极才会导通。

MOS管

金属氧化物场效应品体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）

MOS管的工作原理可以通过动画直观地理解。当栅极（G）施加电压时，源极（S）和漏极（D）之间会形成电流。

三极管和MOS管区别

• 三极管为电流导通
• MOS管为电压导通

IGBT

绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor）

IGBT可以看作是MOS管和三极管的合体。三极管导通电阻小，但驱动电流大；而MOS管导通电阻大，但驱动电流小。将两者结合，可以实现驱动电流小且导通电阻低的IGBT。