三极管分类，主要参数及应用场景

三极管分类，主要参数及应用场景

引用

CSDN

1.

https://blog.csdn.net/weixin_43309350/article/details/137116224

三极管，也称为双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor，BJT），具有电流放大作用。它由三个半导体层区域构成，分别是发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。

主要分类

按极性分类

三级管按极性可分为NPN型三极管（N型）和PNP型三极管（P型）。

按材质分类

据材质划分有两种，分别是硅管和锗管。

• 硅三极管：大多数常见的晶体管都是硅三极管。硅材料与锗材料对比，热稳定性能好和噪声低。
• 锗三极管：早期晶体管中锗三极管应用较多。锗材料与硅材料对比，具有较高的导电性和导通电压低。

按功率分类

三极管按照功率分小功率三极管、中功率三极管和大功率三极管。

• 小功率三极管：主要用于小信号放大、开关和调节电路，如音频放大器、射频放大器、逻辑门等。
• 中功率三极管：适用于电源开关、电机控制、音频功率放大器等。
• 大功率三极管：适用于功率放大器、交流驱动器、电源开关等。具有更高的最大电流和最大电压，在几百毫安甚至几安的电流和数百到上千伏特的电压。

按工作频率分类

按频率可分为低频管、高频管和超频管。低频管适用于较低频率的放大和开关应用；高频管适用于较高频率的射频放大和振荡应用。一般以频率3MHz作为判定高低频三极管的依据。

主要参数

下图为NPN三极管数据手册截取的参数表，结合此表我们说明一下三极管的主要参数。

极限参数

• VCBO：集电极-基极击穿电压，发射极开路时，集电极与基极间的反向击穿电压。
• VCEO：集电极-发射极击穿电压，基极开路时，集电极与发射极间的反向击穿电压。
• VEBO：发射极-基极反向击穿电压，集电极开路时，发射极与基极间的反向击穿电压。
• IC：集电极最大允许电流，当三极管的电流放大系数（β值）超过一定数值时，其性能会下降，从而影响到电路的性能。下图为集电极电流与频率的对应关系：

• PC：集电极功率。下图为集电极功率与温度的对应关系：

电性能参数

• hFE：直流电流增益，也称为直流放大倍数，是基极电流与集电极电流之比。hFE并不是一个恒定不变的参数，它会随着温度、工作电压和频率的变化而变化。因此，在电路设计中为保证电路的稳定性和可靠性，需要对hFE的变化进行充分的考虑和补偿。

• VCE(sat)：集电极与发射极之间在饱和状态下的压降。

• VBE(sat) ：基极与发射极之间在饱和状态下的最小导通电压。

• fT：截止频率，三极管从放大状态转变为截止状态的频率点。

其他参数特性图：

典型应用

放大电路

控制电路

本文原文来自CSDN