NAND闪存（NAND Flash）颗粒SLC、MLC、TLC、QLC的对比
NAND闪存（NAND Flash）颗粒SLC、MLC、TLC、QLC的对比
固态硬盘性能指标
顺序读写（Seq）
顺序读写是我们日常使用电脑进行数据拷贝、转移时常见的操作。这种读写过程是有规律的序列，因此一般SSD的顺序读取速度都不会太慢。
4K随机读写（4K）
4K随机读写一般是指在系统级别的操作，比如系统开关机、调用软件运行等操作时的读写速度。因为这些操作调用的数据都是无规律的小数据，而4KB是目前系统内不受压缩的最小数据块规模，所以将4K读写作为一个测试指标。4K的读写速度越快，说明系统的运行越流畅，反过来也说明SSD的性能越强。
访问延迟（Acc.time）
访问延迟一般指系统调用硬盘数据时需要的时间。一般的SSD的访问延迟都是低于1ms的，速度是传统机械硬盘的一千倍左右。这也是SSD做系统盘之后我们都可以感受的提升巨大的原因。越高端的SSD的访问延迟越低。
IOPS
IOPS指单位时间内系统能处理的I/O请求数量，一般都是以每秒的I/O请求处理量为基准。IOPS数值越高，说明系统处理速度越快，SSD的性能也越强。
NAND闪存存储类型解析
存储基质：浮栅晶体管
SLC（单层单元）：每个Cell单元存储1bit信息，也就是只有0、1两种电压变化。结构简单，电压控制也快速，反映出来的特点就是寿命长，性能强。P/E寿命在1万到10万次之间。但缺点就是容量低而成本高，毕竟一个Cell单元只能存储1bit信息。
MLC（多层单元）：每个cell单元存储2bit信息，需要更复杂的电压控制，有00,01,10,11四种变化。这也意味着写入性能、可靠性能降低了。其P/E寿命根据不同制程在3000-5000次不等。
TLC（三层单元）：每个cell单元存储3bit信息，电压从000到001有8种变化。容量比MLC再次增加1/3，成本更低，但是架构更复杂，P/E编程时间长，写入速度慢。P/E寿命也降至1000-3000次，部分情况会更低。寿命短只是相对而言的，通常来讲，经过重度测试的TLC颗粒正常使用5年以上是没有问题的。
QLC（四层单元）：或者可以叫4bit MLC，电压有16种变化，但是容量能增加33%。就是写入性能、P/E寿命与TLC相比会进一步降低。具体的性能测试上，美光有做过实验。读取速度方面，SATA接口中的二者都可以达到540MB/S，QLC表现差在写入速度上，因为其P/E编程时间就比MLC、TLC更长，速度更慢。连续写入速度从520MB/s降至360MB/s，随机性能更是从9500 IOPS降至5000 IOPS，损失将近一半。