全球存储芯片价格暴跌四成，中国芯片企业展现强劲竞争力

全球存储芯片价格暴跌四成，中国芯片企业展现强劲竞争力

近期，全球存储芯片市场迎来重大调整。市调机构TrendForce发布最新报告显示，今年下半年全球存储芯片价格大幅下跌，最高跌幅达到四成，已接近2022年水平。这一变化引发美日韩存储芯片企业的高度关注，他们担忧存储芯片业务可能再次陷入亏损困境。

其中，DDR4内存价格跌幅最大，达到四成。这与国产内存芯片产能提升密切相关。随着中国存储芯片企业产能的扩大，DDR4内存价格大幅下降，以抢占市场份额，给美日韩存储芯片企业带来巨大冲击。

DDR5内存价格也在下跌，最高跌幅约为两成。目前，虽然DDR5内存产量相对较少，但中国存储芯片企业正稳步提升DDR5内存的产能，预计明年将能抢占更多市场份额，进一步冲击美日韩存储芯片企业。

面对中国存储芯片企业的竞争压力，美日韩企业已出现DDR4内存的巨额库存。为应对这一挑战，他们已开始缩减DDR4产能，转向生产DDR5内存，以确保利润并避免直接竞争。

值得注意的是，美日韩存储芯片企业还掌握着HBM（高带宽内存）存储芯片这一核心技术。HBM芯片主要由韩国三星、SK海力士以及美国美光生产，由于技术规格和NVIDIA的指定，中国存储芯片企业目前还难以生产HBM存储芯片。

这一市场格局曾在2022年发生重大变化。当时，中国的NAND flash存储芯片首次量产232层芯片，一举夺得存储芯片的技术优势，推动NAND flash存储芯片价格腰斩。2023年上半年，韩国三星、SK海力士和美国美光均出现收入大幅下滑，美光甚至出现巨额亏损。

美国随后采取行动，限制日本、荷兰的芯片设备和材料厂商向中国存储芯片企业供应先进设备，甚至禁止对已投入生产的设备进行维护，导致中国存储芯片技术发展一度受阻。

2023年，美日韩存储芯片企业量产300层NAND flash，重新取得技术优势，并通过联合抬价策略，大幅提高存储芯片价格。这一行为并非首次，2004年三星就曾因操纵存储芯片价格被美国罚款。

美日韩的联合提价策略导致中国在存储芯片采购上额外支出约900亿美元，同时也为这些企业带来了丰厚利润。如今，中国存储芯片企业依靠国产设备突破技术瓶颈，追赶上美日韩企业的步伐。随着技术和产能问题得到解决，中国存储芯片企业再次以极具竞争力的价格抢占市场，引发美日韩企业的高度警觉。