国产EUV光刻机“登月时刻”！中企三大技术路线公布，情况清晰了

国产EUV光刻机“登月时刻”！中企三大技术路线公布，情况清晰了

引用

搜狐

1.

https://m.sohu.com/a/862109161_121089819/?pvid=000115_3w_a

2024年9月，上海微电子一项编号CN202310226636.7的专利引爆全球半导体圈。这项名为“极紫外辐射发生装置及光刻设备”的技术，首次在EUV光刻机核心子系统取得实质性突破。通过电场约束+氢自由基反应技术，带电粒子污染减少率超90%，镜面寿命提升至1000小时，直接击穿西方对于我国在EUV光刻机领域发展的“技术蔑视”。

一、引言：我国半导体的“诺曼底登陆”

2024年9月，上海微电子一项编号CN202310226636.7的专利引爆全球半导体圈。这项名为“极紫外辐射发生装置及光刻设备”的技术，首次在EUV光刻机核心子系统取得实质性突破。通过电场约束+氢自由基反应技术，带电粒子污染减少率超90%，镜面寿命提升至1000小时，直接击穿西方对于我国在EUV光刻机领域发展的“技术蔑视”。

另外，当哈尔滨工业大学凭借“放电等离子体极紫外光刻光源”技术斩获创新大奖，上海光源的小型加速器实验则为下一代FEL路线铺平道路，这场持续十年的光刻机围剿与反围剿之战，终于迎来历史性转折点，而全球半导体产业链也将迎来重构。

二、技术路线解析：国产EUV的“三驾马车”