ALD，至关重要！

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原子层沉积（ALD）是一种在半导体制造中使用的关键工具，尤其在最先进的节点上用于晶体管和互连制造。尽管过去ALD被认为速度太慢而不实用，但随着对精确成分和厚度控制的需求不断提高，ALD的价值得到了肯定，因此在制造过程中花费额外时间进行ALD沉积是值得的。

ALD是化学气相沉积的一种变体，最初被广泛引入半导体行业用于制造高介电常数栅极电介质的氧化铪。与化学气相沉积（CVD）类似，ALD也是一种保形工艺，沉积发生在所有暴露于前体气体的表面上。然而，在ALD中，反应是自限性的。

ALD的工作原理如下：首先，将前体气体A引入处理室，并吸附到所有可用的基板表面上。一旦所有表面位点都被占据，进一步的吸附就不会发生。然后使用惰性吹扫气体（通常是氮气或氩气）冲洗掉任何剩余的前体气体，然后引入第二前体B。前体B与已经化学吸附的前体A反应，生成所需的薄膜。一旦所有吸附的分子被消耗，反应停止。在进行第二次净化步骤后，重复这个循环。