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存储器芯片的基本原理

创作时间:
作者:
@小白创作中心

存储器芯片的基本原理

引用
CSDN
1.
https://m.blog.csdn.net/weixin_65866298/article/details/141143742

存储器芯片是计算机系统中不可或缺的组成部分,负责存储数据和指令。从简单的存储元到复杂的存储器系统,其工作原理涉及多个层次的技术细节。本文将带你深入了解存储器芯片的基本构成和工作原理,帮助你建立对计算机存储系统的全面认识。

1.存储元

1.1栅极电容

给MOS管一个阈值电压(5v)就能够导电,若是不给那么就是一个绝缘体不会导电。

读出二进制原理:

通常在电容中保存着数据0或1,那么如何去读取呢?可以给MOS管加电流,若是达到阈值5V,此时右端就会流出1,否则就会流出0。

写入二进制原理:

可以在MOS管的右端加一个5v的高电平,同时也给MOS管加一个5v的电平,此时MOS管就可以接通,电容中就会存储1,此时MOS管端口,电容里的电荷就跑不出去了。

1.2双稳态触发器

其中双稳态触发器有6个,在这种存储器中可以呈现出两种稳定的状态:

第一种稳态A是高电平,B是低电平,此时对应着二进制1。

第二种稳态A是低电平,B是高电平,此时对应着二进制0。

读出二进制原理:

对于左边电容存储元读出数据的数据线只有一根,右边双稳态触发器则需要两根来读取数据,我们可以根据BL或者BLX读出的是0或1就能够确定读出的是什么信号了。

写入二进制原理:

写入0时,给BL加低电平,BLX加高电平。

写入1,左高右低。

2.存储单元

如下,由多个存储元组成的一个存储单元,在存储单元上每个MOS管接线,若是想要读取一组单元的存储元值,直接全部上电压,就能够读取到一个存储单元的所有二进制位(每个存储元中的电容)。

3.存储体

此时由多个存储单元组成就是一个存储体

4.存储器

存储体接上MAR,MDR,控制电路(片选线,读写控制线)就构成了存储器。

(片选线用于选取多个存储体中的一个。)

每一根线都会对应一根金属引脚:

所以 一个存储器的引脚数 = 地址线 + 数据线 + 读控制线 + 写控制线 + 片选线。

5.容量计算

n位地址 → 2^n个存储单元

总容量 = 存储单元个数 x 存储字长

像本篇文章中的示例:

三根地址线,即有2^3个存储单元,其存储容量为:

=2^3x8bit = 2^3x1Byte = 8B

可以表述为一个:8x8位的存储芯片(第一个8表示存储单元数,第二个表示存储字长)

常见的描述:

8Kx8位,容量为:2^13x8bit

8Kx1位,容量为:即2^13x1bit

64Kx16位,容量为:即2^16x16bit

6.寻址

假设存储器总容量为1KB 地址线:10根

现代计算机基本上以字节编址 ,即一个存储单元的字长为一个字节

1KB = 2^10B 故地址线为10根。

按字节寻址

1K个单元,每个单元1B

按字寻址

256个单元,每个单元4B

按半字寻址

512个单元,每个单元2B

按双字寻址

128个单元,每个单元8B

7.使用行列地址

将存储单元一个挨着一个的排列,并且每一个都连上一根线

这样,一个拥有n根地址线的存储器就需要在其内部用2^n根线来连接2^n个存储单元,这样会加大工业的难度,所以我们可以用别的方法来减少线的数量。

将存储单元排列成2^(n/2)x2^(n/2)的矩阵,地址拆分为行列地址(DRAM行、列地址等长)

这样原本需要2^n根线的存储器,现在只需要2^(n/2) + 2^(n/2)根线,以行列地址来定位单个个存储单元

像现在的存储器可能为了更高的容量而使用的是三维的排列技术。

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