半导体技术新突破：铁电晶体管将引领未来计算和存储革命

半导体技术新突破：铁电晶体管将引领未来计算和存储革命

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近年来，随着人工智能、大数据和物联网等技术的快速发展，对于电子硬件的性能需求愈加迫切，传统微芯片的承载能力逐渐显得捉襟见肘。为此，科学家们纷纷着手研发新型半导体技术，以期在更小、更快、更节能的方向上取得突破。其中，铁电场效应晶体管（FE-FET）能够在这场技术革命中脱颖而出。

铁电场效应晶体管（FE-FET）是一种利用铁电材料的非易失性存储特性的创新器件，结合了传统场效应和电荷积累机制，实现在低功耗、高速度和高密度数据存储方面的显著优势。这种新的晶体管构架不仅突破了材料学的限制，更在计算和存储技术交融的层面上提供了新的思路。

最近，由宾夕法尼亚大学的电气与系统工程系副教授Deep Jariwala及其研究团队首次提出了一种全新的FE-FET设计，向业界展示了铁电材料氮化铝钪（AlScN）与二硫化钼（MoS₂）相结合的可能性。这项研究的成果已在《自然纳米技术》杂志上发表，众多专家对这一进展表示了高度关注。

这项突破性研究为未来计算和存储技术的发展开辟了新的方向，有望推动人工智能、大数据处理等领域的进一步发展。