AMB碳化硅陶瓷基板：高功率电子器件的“热管理革命者”

AMB碳化硅陶瓷基板：高功率电子器件的“热管理革命者”

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搜狐

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https://m.sohu.com/a/854909626_100133432/?pvid=000115_3w_a

在电动汽车、5G通信和航空航天等高端领域，电子器件的功率密度正以每年15%的速度攀升，传统氧化铝（Al₂O₃）和氮化铝（AlN）基板已逼近性能极限。一种基于活性金属钎焊（Active Metal Brazing, AMB）技术的碳化硅（SiC）陶瓷基板，正以"高导热、耐极端、强结合"的三重突破，重塑功率模块的可靠性边界。

AMB-SiC基板的性能基因

AMB技术通过活性金属（如Ti、Zr）实现陶瓷与金属的高强度连接，结合碳化硅的先天优势，形成独特的性能矩阵：

1. 热管理性能的颠覆性提升

• 超高热导率：SiC陶瓷本体热导率可达270W/(m·K)，是Al₂O₃的10倍。AMB工艺形成的Ti-Si-C界面层（厚度＜5μm）使整体热阻降低至0.15K·mm²/W，较传统DBC（直接覆铜）基板降低40%。

• 低热膨胀失配：SiC（CTE=4.0×10⁻⁶/℃）与铜（CTE=17×10⁻⁶/℃）的CTE差异仅为Al₂O₃-Cu系统的1/3，在-55℃至+300℃循环中，界面热应力下降60%。某车企测试显示，采用AMB-SiC基板的IGBT模块，经5000次温度循环后，焊层裂纹面积＜0.1%。

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