半导体激光器的历史

半导体激光器的历史

引用

CSDN

1.

https://blog.csdn.net/WaxberryLee/article/details/139833396

激光的出现可以追溯到1958年，也就是Schawlow和Townes的开创性论文出现的那一年。随后于1960年5月成功地运行了固态红宝石激光器，并于1960年12月成功地操作了He-Ne气体激光器。

在此期间，考虑了半导体激光器中激发发射的可行性，1962年，几个小组报告了半导体的激光作用。该装置由一个前向偏置的GaAs p-n结组成。p-n结耗尽区域的电子孔重组提供了光学增益，垂直于结平面的抛光面提供了光学反馈——这是任何激光的必要成分。

很快，其他直接带隙半导体材料（如InAs、InP、GaAsP、GaInAs和InPA）的p-n结被用于获得不同波长的半导体激光器。然而，这些早期设备的实际用途是有限的，因为阈值电流密度很大抑制了它们在室温下的连续运行。

早在1963年，就有人建议，如果将一层半导体激光材料夹在另一个带间隙相对较宽的半导体的两个包层之间，半导体激光器可能会得到改进。这种由两个不同半导体组成的器件通常被称为异构激光器，而单半导体器件被标记为同构激光器。

图1-1展示了这两种结构，图中还显示了它们的典型物理尺寸。