MOS管死区时间测试指导

MOS管死区时间测试指导

引用

CSDN

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https://m.blog.csdn.net/qq_41573805/article/details/144762063

MOS管死区时间测试是确保H桥电路稳定运行的关键环节。本文将详细介绍MOS管死区时间的测试方法，包括测试目的、电路选择、测试点选取、实际测试步骤以及注意事项，帮助工程师准确测量并优化电路性能。

一、测试目的

对于应用到“H桥”的电路，为防止上下臂直通，需要测试MOS管的死区时间以保证系统稳定。

二、典型电路

由于涉及具体电路设计细节，这里不提供具体的电路图。读者可以根据H桥电路的基本原理自行搜索相关资料。

三、测试点选取

由于MOS的开启和关断是通过Vgs压差判定的，所以我们测试的时候需要用两个示波器探头分别测试MOS管的G、S端。再加上需要比较两个管，所以需要四个示波器探头且尽量使用弹簧探头测试。

四、实际测试解析

1. DUT处于工作状态，如电机可测试锁轴、高低速运动等工作场景；
2. 实测波形：

图2 Q17-1关闭Q114-1打开

3. 测试说明：图2中示波器探头连接 C1--Q17-G1，C2--Q17-S1，C3--Q114-G1，C4--Q114-S1。
4. MOS开关判断：查找MOS管规格书发现Vgs(th)范围为1.2--2.5V，保险起见我们判定MOS关闭Vgs=1.2V，MOS管打开也为1.2V。

图3 MOS Vgs(th)

5. 死区时间：已知MOS Vgs(th)，到图2中用光标卡C1、C2压差为1.2V到C3、C4压差为1.2V之间的Δt即为MOS的死区时间。
6. 死区时间判定：目前公司无死区时间的换算以及功耗要求，现阶段无超高速要求项目保持死区时间＞0即可。

五、测试注意事项

1. 上述为上管关闭，下管打开场景，同组MOS还需要测试上管打开，下管关闭场景；
2. 测试时尽量选择就近地；
3. 测试尽量选择弹簧探针测试，可减少波形震荡，如无条件则至少测试一组弹簧探头波形做判定，下图4为弹簧探头实测波形；

图4 弹簧探头测试