什么是P沟道MOSFET？P沟道MOSFET的应用电路图来了

什么是P沟道MOSFET？P沟道MOSFET的应用电路图来了

引用

搜狐

1.

https://m.sohu.com/a/777185793_121842926/?pvid=000115_3w_a

MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是现代电子设备中不可或缺的元件之一。其中，P沟道MOSFET因其独特的结构和工作原理，在电子电路中发挥着重要作用。本文将详细介绍P沟道MOSFET的定义、结构及其与N沟道MOSFET的区别。

P沟道MOSFET的定义

沟道主要由空穴形式的电荷载流子组成的MOSFET称为P沟道MOSFET。一旦该MOSFET被激活，大多数电荷载流子（如空穴）将在整个沟道中移动。该MOSFET与N沟道MOSFET不同，因为在N MOSFET中，大多数电荷载流子是电子。

增强模式和耗尽模式下的P沟道MOSFET符号如下所示：

P沟道MOSFET的结构

P沟道MOSFET包括一个P沟道区域，该区域布置在源极(S)和漏极(D)等两个端子之间，而主体是n区域。与N沟道MOSFET类似，此类MOSFET也包括源极、漏极和栅极三个端子。此处，源极和漏极端子均采用p型材料重掺杂，并且该MOSFET中使用的衬底类型为n型。

P沟道MOSFET的工作原理

P沟道MOSFET中的大多数电荷载流子是空穴，与N沟道MOSFET中使用的电子相比，这些电荷载流子的迁移率较低。P沟道和N沟道MOSFET之间的主要区别在于，在P沟道中，需要从Vgs（栅极端子到源极）施加负电压才能激活MOSFET，而在N沟道中，需要正VGS电压。因此，这使得P沟道型MOSFET成为高侧开关的完美选择。