碳化硅晶须（SiCW）和碳化硅纳米线（SiCNWs）的相同点与不同点
碳化硅晶须（SiCW）和碳化硅纳米线（SiCNWs）的相同点与不同点
碳化硅晶须和碳化硅纳米线的相同点与不同点如下：
相同点
晶体结构与主要成分：二者主要成分都是碳化硅，且都立方相的晶体结构，碳化硅晶须和碳化硅纳米线都属于 β 型结构。
所属材料类别：都属于一维材料，在一个方向上的尺寸远大于其他两个方向。
基本物化性质
耐高温：都能在高温环境下保持相对稳定的性能，可承受较高温度。
高强度：都具有较高的强度，在各自应用场景中可起到增强材料强度的作用。
化学稳定性：都有较好的化学稳定性，在一定程度上耐酸碱腐蚀等。
应用领域交叉：在复合材料增强增韧等方面有共同应用，都可用于增强金属基、陶瓷基和高分子聚合物基复合材料，提高复合材料的性能。
不同点
- 尺寸特征
- 碳化硅晶须：直径通常在微米数量级，一般为 0.1-1μm，长度一般在 5-30μm。
- 碳化硅纳米线：直径一般小于 500nm，长度可达几十到一百微米，长径比相对碳化硅晶须更高。
性能表现
力学性能：碳化硅晶须的拉伸强度一般在 21GPa 以上，弹性模量约 490GPa；碳化硅纳米线单根的杨氏模量约为 610-660GPa，抗弯强度可达 53.4GPa，约为碳化硅晶须的两倍，拉伸强度超过 14GPa91012。
特殊效应：碳化硅纳米线因纳米级尺寸具有小尺寸效应和量子效应，可作为发光材料和半导体催化材料；碳化硅晶须一般不强调这些效应。
制备方法
碳化硅晶须：主要有气相反应法和固体材料法两种2。
碳化硅纳米线：制备方法包括化学气相沉积法、电弧放电法、模板生长法、碳热还原法、溶胶 - 凝胶法、前驱体热解法、气相渗硅法等。
应用侧重
碳化硅晶须：更多用于航天材料、高速切削刀具等对高温高强要求高的场合，还用于制造一些需要高硬度、高模量的部件。
碳化硅纳米线：除用于复合材料增强体外，在生物医学领域如药物传输载体、组织工程支架和生物传感器等有应用，还在超级电容器、电磁波吸收器件、发光二极管等方面具有独特应用。
生产规模与成本
碳化硅晶须：已有一定规模的工业化生产，成本相对碳化硅纳米线在大规模应用中较低。
碳化硅纳米线：全球产量目前不高，一般为实验室水平生产，生产技术难度较大，成本相对较高。