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PCB布线规则:71条高速信号布线指南

创作时间:
作者:
@小白创作中心

PCB布线规则:71条高速信号布线指南

引用
CSDN
1.
https://blog.csdn.net/qq_51297604/article/details/146122982

随着电子设备的高速化和复杂化,PCB布线设计变得越来越重要。本文总结了71条高速信号PCB布线规则,涵盖了高速信号、电源层、地层、晶振等多个方面的布线要点,旨在帮助工程师更好地完成PCB设计工作。

  1. 高速信号应尽量避免穿层,必需时应就近放置过孔以提供电流回流路径;

  2. 若邻层有连续接地平面,建议在顶层或底层布XMII高速信号(考虑信号过孔将增加发射);否则,高速信号走线应安排在内层以减少发射;

  3. 用铜(GND)填充高速信号走线旁的空间,以减少相邻走线间耦合和外部串扰;

  4. 高速信号应尽量减少层变化,减少信号过孔,如必须,优先选用盲埋孔;

  5. 一条额外的接地走线,通过过孔频繁间隔连接地层,可以有效降低耦合;

  6. 确保相邻信号走线间距至少为一条信号走线宽度,或是衬底的两倍;

  7. 高速信号走线避免与相邻信号线交叉,会导致反射与阻抗失配,若不可避免,可将信号线转移至更远层;

  1. 确保将XMII对布线在同层一起,以保证相同的走线长度,特性阻抗;(关键)

  2. 避免并行时钟走线和敏感走线,高速线不要靠近晶体或振荡器;

  3. 保持电源线与XMII信号轨道足够远,以避免噪声耦合至配电网;

  4. 保持MII接口的发射和接收分开,避免潜在干扰;

  5. MII线路必须设计为阻抗控制的单端走线,特性阻抗为68欧姆,50欧姆特性阻抗与22R电阻串联的印刷电路板有利于进一步减小信号反射;

  6. 外层(微带线)与内层(带状线)定义不同的特性阻抗计算,如果走线穿层,宽度须适应匹配阻抗;(关键)

  7. SGMII的走线长度差必须控制在1mm以内;

  8. 保持差分以太网对旁边的接地对称性,包括接地过孔的对称性;

  9. 差分对距离下方的连续地层应至少保持2倍走线宽度;MDI走线与相邻地层之间小间距会影响MDI信号,增加共模噪声;

  10. MDI+和-之间间距应保持恒定,否则将引起反射;

  1. 应优先布MDI和CLK等关键信号线;

  2. 尽量避免穿层,如必须,应确保过孔位置对称,直径等于走线宽度;

  3. 避免不同的MDI信号对相互靠近,用铜地隔离开以避免串扰;

  4. MDI+/-平行走线并避免短截线,以避免形成天线效应;

  5. MDI和MII走线应尽可能短;

  6. DHY应放置在板边,以缩短与连接器的走线,避免长走线形成天线及阻抗失配带来的影响;

  7. 建议在共模电感和连接器区域顶层下方的铜扣除,共模线圈下方不允许有铜,避免它们之间相互干扰;

  8. 采用弧形走线,其次是45°走线,禁止90°走线;

  9. 确保MDI差分对阻抗100R,并尽可能相互靠近;

  10. 走线建议在阻容的斜角引出,以相互靠近;

  11. ESD防护和终端电阻建议放置在底层,以便简单走线,并靠近连接器放置;

电源层:

  1. 电源走线应尽量采用电源层和铺铜实现;

  2. 通过增加横截面积和去耦电容来减低走线阻抗;

  3. 使用几个相同阻值而不是不同阻值作为去耦电容,以避免谐振;

  4. 避免长迹线和小截面短截面;

  5. 小封装的器件具备更低的寄生参数,更适用在高频;

  6. 去耦电容尽可能靠近IC电源管脚;

  7. 确保电流先到达去耦电容;

  8. 每个去耦电容至少需要一个接地过孔和电源通孔,避免多个电容过孔公用;即使有铺铜,也要增加地过孔;

  9. 电源线不应与相邻层高速信号线,如必须,保持完成的地层隔离;

  10. 电源层不应作为参考层;

  11. 关键信号穿层,可以使用拼接电容,信号参考层会变化;

GND:

  1. 接地层应连续;

  2. 不同层上未使用空间使用铜填充,减少信号干扰和屏蔽;

  3. 不在无铜区域布线;

  4. 避免浮地;

  5. 内层信号层间距越大,其寄生电容越低,有利于降低串扰;接地和电源层之间的小间距可降低电感,增大电容,优先保证宽频段内极低阻抗,降低谐振风险;

  6. 保持足够数量的过孔;

  7. PCB边缘使用过孔隔离,以减少板边辐射;

  8. 避免因过孔位置不良导致的地槽;

Osc

  1. 晶振应远离高频信号和设备,避免串扰;

  2. 负载电容应就近接地,保持低寄生参数;

  3. 负载电容应相互靠近放置;

  4. 晶体走位地线环绕包围,并就近连接至振荡器的地;

  5. 注意晶体部分走线,以减小其寄生电容;

  6. 晶体周围地线环绕包围,并连接至IC晶体地;

SGMII

  1. 布局、走线、过孔尽量完全对称,以降低EMI;

  2. 处于ESD考虑,MDI布线接口处应单独铺铜(机壳地);其与内部数字地的界线为共模滤波器;两个地网络之间通过阻容耦合并靠近共模滤波器;如下图所示:

  1. GND层使用1盎司(最好2盎司)厚的铜,以提升DC电阻及导热性;

  2. 任何传输线布线,其相邻地层禁止有>1.5mm的切口开槽;多个过孔并排放置可能出现上述情形,应避免;如下图:

  3. 为提高辐射及抗扰性能,RGMII和SGMII信号应尽量走内层布线,最好走线在同一层,将XMII接口的源串阻放置在发射端引脚附近,端接后直接进内层;

  4. SGMII的AC耦合电容放置在接收器附近;

  5. 对于XMII接口,尽量选用寄生参数较低的AC耦合电容;

  6. 对于每一个改变层的信号,假设参考层都以GND为参考,在每个信号过孔附近放置一个返回路径过孔尤为重要,以便连接两个GND参考平面,为高速信号建立良好的返回路径;

  7. 高速SGMII、SERDES和MDI必须差分等长,100Ω差分阻抗;

  8. 数字信号和电源走线避免走到模拟区域,如不可避免,通过3W规则保持足够距离;

  9. MAC接口始终使用5W规则间隔;

  10. 差分走线距离过孔及焊盘至少0.8mm;

  11. AC耦合电容应为SMD0402 0.1uF ,X7R,等效串阻<100@10Ghz,至少距离RX input 1英寸;电容下方接地层应挖空,以减少寄生电容;

  12. 差分对与差分对之间间距应>32mil,以实现70db的串扰隔离;

  13. SERDES差分对P和N应在5mil内匹配;MDI应在1mil内匹配;

  14. SERDES差分对之间间距不小于24mil,SERDES和电源孔之间间距不小于10mil;

  15. MDI走线最长5英寸,最好应保持在3英寸以内;

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