突破极限：5nm精度极紫外光刻技术引领芯片制造新纪元

突破极限：5nm精度极紫外光刻技术引领芯片制造新纪元

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在现代半导体技术中，光刻技术是制造微型电路的关键环节。随着微米级芯片技术的发展，工程师们开始追求更小的特征尺寸，使得光刻设备的分辨率成为至关重要的指标。近期，瑞士保罗·谢尔研究所(PSI)的研究人员成功开发出一种全新的极紫外(EUV)干涉光刻技术，突破了传统光刻技术的衍射极限，达到了5nm的分辨率，这一技术创新有望为下一代计算机芯片的性能提升带来重大的推动力。

极紫外光刻技术是互补金属氧化物半导体(CMOS)量产中的一项前沿技术。传统的光刻技术面临着衍射极限的挑战，特别是在制造特征尺寸低于10nm的电路时。PSI团队的研究标志着光刻技术的一次质变，他们采用了一种基于反射镜的技术，利用干涉光的特性大幅度提升了分辨率。正如Giannopoulos所言，这一技术将为工业界和学术研究带来重要影响。